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NES8100系列高温反偏老化测试系统产品简介:
是一款适用于各种封装形式(包括SMD表面贴装)微波器件的高温反偏老化测试系统,系统满足双电源 型GaN类、微波MOS管等半导体分立器件的高温反偏/栅偏试验(HTRB/HTGB)和高温漏电流测试(HTIR)。NES8100系列采用高 品质的GWS的PH-201型号高温箱,最高长期稳定工作温度为175℃;具备测试通道多的特点,单系统16CH支持单管芯器件640 工位测试;支持电压200V单偏置或双偏置的高温反偏试验(HTRB)和老炼筛选。NES8100系列为半导体器件高温反偏测试定制开 发专用软件,集成自动调节加电模式、在线调节加电模式、加载时序控制、自动保护器件、数据实时监控等多种功能。
NES8100系列高温反偏老化测试系统主要特点:
支持高温反偏/栅偏试验(HTRB/HTGB)和高温漏电流测试(HTIR)
GWS单高温箱结构,长期稳定工作温度为175℃
双一级电源供电,Vd为200V;Vg为±15.0V
NGI品牌高精度测试电源,高精度、低纹波
Vg电源单机四通道,高集成度
Vg采用UPS供电的二级电源设计,软硬件时序控制
单系统16CH支持单管芯器件640工位测试
自动调节、在线调试多种加电模式,加载时序控制
数据实时监控、全程记录,测试数据快速溯源
单工位Vd均加继电器自动保护,器件测试更安全
规格参数表:
型号 | NES8100-16 |
适用标准/条款 | MIL-STD-750D、MIL-M-19500、GJB128A、AEC-101 |
尺寸 | 1450mm(宽)×1430mm(深)×1900mm(高) |
重量 | 1000kg |
供电 | AC 220V±10%,50Hz |
功率 | ≤12kW |
高温试验箱(PH-201) | |
试验腔尺寸 | 600*600*600(mm) |
风道设计 | 水平横向循环风道设计 |
长期最高试验温度 | 150℃(老化板配件最高耐温150℃) |
温度均匀性 | 150℃±3℃(空载),试验温度波动度:±1℃ |
温度显示及控制精度 | 1℃ |
测试电源(NGI) | |
Vd电源数量 | 4台 |
Vd电压范围 | 0~240V |
Vd电流范围 | 0~30A |
Vd功率范围 | 0~1200W |
Vg电源数量 | 2台(单机四通道) |
Vg电压范围 | 0~60V |
Vg电流范围 | 0~15A |
Vg功率范围 | 0~360W |
测试容量 | |
独立试验区数量 | 4个区(一组测试电源对应一个试验区) |
测试通道数 | 16CH |
单板工位数/总容量 | 40工位/640工位 |
驱动检测板 | |
数量 | 16块 |
Vd电压检测 | 0V~200V;分辨率:0.1V;精度: 1%+0.1V |
Vg电压检测 | -15.00V~15.00V;分辨率:0.01V;精度: 1%+0.01V |
Id漏电流检测 | 0.01mA~50mA;分辨率:0.01mA;精度:2%+30μA |
Ig漏电流检测 | 0.01mA~50mA;分辨率:0.01mA;精度:2%+30μA |
老化板 | |
基板材质 | 标配高Tg基板(可定制) |
耐温范围 | 耐温150℃(可定制) |
老化板尺寸 | 290mm*600mm(可定制) |
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