消除电容传感器寄生电容的方法

消除电容传感器寄生电容的方法

增加初始电容值

采用增加初始电容值的方法可以使寄生电容相对电容传感器的电容量减小。可采用减小极片或极筒间的间距,如平板式间距可减小为0.2mm,圆筒式间距可减小为0.15mm,增加工作面积或工作长度来增加原始电容值,但此种方法要受到加工和装配工艺、精度、示值范围、击穿电压等限制,一般电容变化值在10-3～103pF之间。

集成法

将传感器与电子线路的前置级装在一个壳体内,省去传感器至前置级的电缆,这样,寄生电容大为减小而且固定不变,使仪器工作稳定。但这种做法因电子元器件的存在而不能在高温或环境恶劣的地方使用。也可利用集成工艺,把传感器和调理电路集成于同一芯片,构成集成电容传感器。

采用“驱动电缆”技术

在压电传感器和放大器之间采用双层屏蔽电缆,并接入增益为1的驱动放大器,这种接法使得内屏蔽与芯线等电位,消除了芯线对内屏蔽的容性漏电,克服了寄生电容的影响,而内外层之间的电容变成了驱动放大器的负载,因此,驱动放大器是一个输入阻抗很高,具有容性负载,放大倍数为1的同相放大器。该方法的难点在于要在很宽的频带上实现放大倍数等于1,且输入输出的相移为零。为此,可采用运算放大器法取代上述方法。